柱后衍生系統的功能簡(jiǎn)介：

　?。?）柱后衍生反應系統既能夠一體化設計，也能夠分體設計。

　?。?）既能夠電腦溫控設定、記錄，也能夠單獨面板按鍵控溫設定。

　?。?）先進(jìn)的半導體制冷技術(shù)為柱后衍生冷卻系統所采用，高溫度的反應液在高精度的溫控儀的作用下能夠被降低到0-室溫，任意可調。

　?。?）±0.3攝氏度為控溫精度。

　　目前相控陣技術(shù)主要通過(guò)調控放大器的位置和總共架構方式來(lái)實(shí)現的，下面就將這些基本原理，用簡(jiǎn)單的語(yǔ)言，以及精煉的語(yǔ)言的方式呈現給大家。

　　相控陣原理圖相控陣技術(shù)簡(jiǎn)要概述在基本原理中，其中可以選擇展示相控陣相變輻射源的脈沖產(chǎn)生原理，輻射源的位置和偏振反向調制關(guān)系圖，射入發(fā)射陣列光子隨相應方向的觀(guān)測函數圖和相鄰排序發(fā)射方向的大小關(guān)系圖。

　　相控陣技術(shù)的柱后衍生系統介紹就是利用了相變輻射源的微調制技術(shù)，即接受一定的觀(guān)測函數圖后，再通過(guò)增強輻射源在發(fā)射方向尺寸的方式對輻射源進(jìn)行調制。

　　衍生技術(shù)的相變輻射源，從理論上講可以是任何帶磁場(chǎng)的東西，其中包括恒星能量場(chǎng)、磁場(chǎng)、磁場(chǎng)場(chǎng)強度和光線(xiàn)場(chǎng)強度以及其他相對大型的場(chǎng)景，相控陣調控相變輻射源在相控陣調控原理中，通過(guò)獲取相應場(chǎng)的樣品來(lái)分析數據。